Назад Наука и технологии

Корейские гиганты создадут память нового поколения

Samsung и SK hynix реализуют гибридное соединение с помощью 3D DRAM.
                                  
Согласно последнему отчету The Elec , Samsung и SK hynix, которые быстро продвигаются на арене памяти с высокой пропускной способностью (HBM), теперь подтверждают свое намерение включить гибридное соединение в будущую технологию 3D DRAM.

В то время как текущая технология использует микровыступы для соединения модулей DRAM, гибридное соединение, которое позволяет укладывать чипы вертикально с помощью сквозного кремниевого отверстия (TSV), может устранить необходимость в микровыступах, значительно уменьшая толщину чипа.

Другие новости

Отраслевые новости: Мир

Бигтех присягнул Трампу

Руководители крупнейших технологических компаний США поспешили поздравить 47 Президента, рассчитывая на скорые перемены к лучшему...

Отраслевые новости: Мир

В Intel веры нет

Никогда лидер рынка микропроцессоров не был так близок к провалу.

Есть вопросы?

Мы готовы ответить. С удовольствием расскажем Вам все о портале ЭЦТ, услугах, тарифах, преимуществах для пользователей и процедуре подключения.

Нужна помощь

Вы уже пользуетесь порталом и у вас возникли технические проблемы или нужен совет по работе с меню и сервисами? Профессиональная техническая поддержка к Вашим услугам.