Назад Наука и технологии

Улучшены свойства ферроэлектрических устройств памяти

Исследователи из Южной Кореи существенно увеличили объем хранения данных в ферроэлектрических устройствах памяти.

Команда исследователей из Поханского университета науки и технологий (POSTECH) успешно контролировала напряжение через каждый слой, регулируя емкость ферроэлектрических слоев, что включало точную настройку таких факторов, как толщина и соотношение площадей металлического к металлическому и металлического к канальному

Недавно ферроэлектрическая память на основе гафния выдвинулась как перспективная технология памяти следующего поколения. Гафний (оксид гафния) позволяет ферроэлектрическим памятным устройствам работать при низких напряжениях и высоких скоростях. Однако значительной проблемой было ограниченное окно памяти для многоуровневого хранения данных.

Другие новости

Отраслевые новости: Мир

Бигтех присягнул Трампу

Руководители крупнейших технологических компаний США поспешили поздравить 47 Президента, рассчитывая на скорые перемены к лучшему...

Отраслевые новости: Мир

В Intel веры нет

Никогда лидер рынка микропроцессоров не был так близок к провалу.

Есть вопросы?

Мы готовы ответить. С удовольствием расскажем Вам все о портале ЭЦТ, услугах, тарифах, преимуществах для пользователей и процедуре подключения.

Нужна помощь

Вы уже пользуетесь порталом и у вас возникли технические проблемы или нужен совет по работе с меню и сервисами? Профессиональная техническая поддержка к Вашим услугам.